《科创板日报》12日讯,SK海力士近日通过发表在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上的论文,提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术,公司将8个HBM3E和8个HBF置于Blackwell旁进行实验,结果表明,与单独使用HBM相比,这种配置可以将每瓦计算性能提升高达2.69倍。 (韩国经济日报)
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